МИЭТ выполнит составную часть опытно-конструкторских работ для НТЦ микроэлектроники РАН Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур заключил договор с Московским институтом электронной техники (НИУ МИЭТ) на выполнение СЧ ОКР (составной части опытно-конструкторских работ) «Разработка тестовых элементов и измерение электрофизических параметров слоев (Ga,Al)N на подложках SiC и слоев (Ga,Al)N с p-слоем на подложках Si». Согласно техническому заданию, целью СЧ ОКР является разработка тестовых элементов и измерение электрофизических параметров слоев (Ga,Al)N, включая комбинации из нескольких слоев, на подложках карбида кремния (SiC) и кремния (Si) с и без нанесенного на них слоя p-GaN в обеспечение технологических работ по отработке эпитаксиального роста структур для нормально-открытых и нормально-закрытых транзисторов методом металлорганической газофазной эпитаксии. Выполнить работы МИЭТ должен с даты заключения договора (16 февраля) до 29 мая 2026 года. На них выделили 3 млн рублей. В техническом задании отмечается, что МИЭТ является лидером в России в области разработки силовых транзисторов на основе А3N гетероструктур. В университете проведены исследования по физическому моделированию в области силовой электроники, проводятся разработки конструкции специальных гетероструктур для силовых транзисторов, были разработаны кристаллы транзисторов для высоковольтных применений. МИЭТ был одной из первых научных организаций России, где были смоделированы и изготовлены нормально открытые и нормально закрытые транзисторы на основе А3N гетероструктур. 📸 Официальный сайт МИЭТ / miet.ru