Японские исследователи из Нагойского университета решили ключевую проблему использования оксида галлия (Ga₂O₃) в полупроводниках, создав первые функциональные pn-диоды на его основе. Оксид галлия перспективен для энергоэффективной электроники, но до сих пор был ограничен в применении из-за невозможности создать p-слой (с положительной полярностью): его кристаллическая структура естественным образом отторгает необходимые атомы. Учёные применили метод инжекции: бомбардировали поверхность атомами никеля, затем дважды нагревали — сначала с активированными кислородными радикалами (300°C), затем в среде кислорода (950°C). Никель превратился в оксид и полностью интегрировался в структуру Ga₂O₃, образовав надёжный p-слой. Полученные pn-диоды: · Пропускают вдвое больший ток, чем предыдущие диоды на Ga₂O₃. · Энергоэффективнее кремниевых аналогов, меньше нагреваются, что снижает требования к охлаждению. · Технология масштабируется на стандартном промышленном оборудовании. Это открывает путь к более эффективным силовым устройствам для электромобилей, возобновляемой энергетики и других мощных приложений.