Вернувшиеся в Россию микроэлектронщики обещают разработать технологию мирового уровня: Российский рентгеновский фотолитограф для печати микросхем может появиться уже через 10 лет Рентгеновский литограф – аппарат, с помощью которого на кремниевую подложку переносятся микроскопические рисунки элементов транзисторов – будет отличаться от традиционного применяемой в нем длиной световой волны. Если литографы предыдущего поколения работают со светом лазера с длиной волны 350 нанометров (нм) и 192 нм, то технология EUV (Extreme ultraviolet lithography – Технология глубокого ультрафиолета) позволит создавать оборудование, способное работать на длине волны в 13,5 нанометров (это приравнивается к рентгеновскому излучению) и меньше. В частности первый литограф с длиной волны 13,5 нм был несколько лет назад создан в Нидерландах компанией ASML, а в декабре 2025 года агентство Reuters сообщило, что Китай разработал собственный прототип EUV-системы силами бывших инженеров ASML. Российские микроэлектронщики тоже обладают знаниями о том, как можно создать рентгеновские литографы для печати более современных микросхем. О проекте, который разворачивается сейчас в НИИ физики микроструктур РАН сообщил в интервью «МК» академик РАН Евгений Горнев. По его словам, для создания микросхем мирового уровня понадобится развернуть производство множества типов машин. Российские ученые обладают многими компетенциями для их создания. В частности, для разработки одного из важнейших типов таких машин – фотолитографа, у специалистов НИИ физики микроструктур РАН из Нижнего Новгорода есть богатый опыт создания EUV-системы в компании ASML. Эти люди сейчас в России и заняты разработкой не точь в точь, но по классу очень похожих машин, – говорит Евгений Горнев. – 13 лет назад НИИМЭ был идеологом создания на нижегородской земле отечественного рентгеновского литографа. Если все получится, лет через 10 (не 30, как это было у ASML) у нас может появиться своя прогрессивная рабочая технология. Причем, наши специалисты предполагают, что их машина будет работать на меньшей длине волны – 11,2 нанометров. Как сообщили сами разработчики, российский EUV-литограф может быть создан на более простом, чем у ASML источнике излучения – ксеноне (у ASML – олово). Ученые также обещают, что помимо меньшей длины волны, которая положительно влияет на разрешение, он будет меньше загрязнять поверхность механизма и меньше потреблять энергии. В целом, с учетом всех составляющих, он будет не таким дорогим в производстве, как у нидерландской компании.