​​Мемристоры: интеграция в российское производство чипов Российские ученые, объединенные в рамках научной кооперации Национального центра физики и математики (НЦФМ) при поддержке Росатома, совершили прорыв в области создания и интеграции электронных мемристорных устройств в отечественный технологический процесс производства чипов. Мемристоры, пассивные электрические элементы, способные изменять свое сопротивление в зависимости от протекшего через них электрического заряда, имеют огромный потенциал для перспективных технологий. В рамках реализации научной программы НЦФМ, специалисты разработали и внедрили топологию интегральной схемы, позволяющую производить в России прототипы чипов с перспективной энергонезависимой памятью RRAM. Эта технологическая платформа создает основу для интеграции мемристорных устройств, воспроизводящих часть функций нейронов человеческого мозга, в современный отечественный процесс производства кремниевых чипов. Мемристорная память RRAM обладает рядом преимуществ перед традиционными технологиями. Она: - Энергонезависимая, что означает сохранение данных даже при отключении питания. - Компактная, поскольку размеры ячеек памяти на мемристорах могут быть уменьшены до наномасштабов (10-9 метров). - Имеет высокую скорость перезаписи, сопоставимую с оперативной памятью (время записи менее 10-9 секунд). Структура и принцип работы мемристорных ячеек Уникальные свойства мемристоров обусловлены их особой структурой. Ячейки хранения информации размещаются в верхних слоях металлизации чипа и состоят из двух электродов, разделенных диэлектрическим слоем. При прохождении электрического тока через мемристор его сопротивление изменяется. Это изменение сохраняется после отключения тока, создавая своеобразную "память" об объеме прошедшего заряда.