Типовые неисправности IGBT‑транзисторов: Пробой из за сетевых перенапряжений Импульсные скачки напряжения (при коммутации мощного оборудования) превышают пороговое напряжение стойкости транзистора (обычно 600В - 1200В). Термический пробой (перегрев) Нарушение теплоотвода или превышение допустимой температуры кристалла (критический порог: выше 150°C). Причины: недостаточное охлаждение, загрязнение радиаторов, высыхание термопасты. Токовая перегрузка Короткое замыкание в нагрузке вызывает лавинообразный рост тока через транзистор. Неполное открытие / закрытие транзистора. Работа в линейном режиме с повышенным рассеиванием мощности. Сбои в формировании управляющих импульсов (нормальная амплитуда: 12−18 В). Деградация кристалла Длительная эксплуатация с циклическими термическими нагрузками приводит к микроповреждениям структуры полупроводника. Десатурация (выход из насыщения) Нарушение режима насыщения транзистора, ведущее к резкому росту напряжения коллектор - эмиттер и локальному перегреву. Ложное отпирание из ‑ за емкости Миллера Паразитная ёмкость между затвором и коллектором вызывает самопроизвольное открытие транзистора при быстрых изменениях напряжения. Пробой IGBT часто влечёт за собой выход из строя демпферных RC ‑ цепей, драйверов затвора или защитных диодов. vk.com/electroecu t.me/electroecu dzen.ru/electroecu #electroecu #igbt #заметки #транзистор