🔥 Представляем одну из статей выпуска №4, 2025 журнала «Modern Electronic Materials» 📝 Авторы статьи из АО «НПК «Орион», ООО «ПРО ВЕКТОР» и НИТУ «МИСИС» изучили влияние быстрого термического отжига (RTA) в атмосфере водорода на ключевые параметры кремниевых диодов и фотодиодов. Цель: найти эффективный и быстрый способ снизить последовательное сопротивление диодов и уровень темновых токов фотодиодов для повышения работоспособности приборов. Ключевые результаты: 🟡 Для омических контактов. Эксперимент с двухслойной композицией Ti/Au на p⁺-Si показал, что RTA в атмосфере H₂ при 340 °C в течение всего 20 секунд - это оптимальный режим. Он формирует омический контакт с рекордно низким удельным сопротивлением 7·10⁻³ Ом·см². Эффект достигается за счёт образования низкоомных силицидов титана на границе раздела Si/Ti. 🟡 Для диодов. Применение этого 20-секундного RTA-цикла в технологии малогабаритных p⁺-n ограничительных диодов позволило вдвое сузить диапазон их последовательных сопротивлений и повысить долю работоспособных приборов на 15%. 🟡 Для фотодиодов. Для другой задачи - снижения токов утечки - был найден свой режим. RTA в атмосфере H₂ при 450 °C в течение 5 секунд в технологии высокоомных p-Si фотодиодов с диэлектрической плёнкой SiO₂ привело к значительному снижению уровня темновых токов чувствительных площадок и защитного кольца. Это также повысило процент устройств, соответствующих спецификациям, на 15%. Механизм иной: здесь ключевую роль играет пассивация оборванных связей кремния атомами водорода на границе SiO₂/p-Si. Вывод: Быстрый термический отжиг в атмосфере водорода - это не универсальный, но высокоэффективный инструмент, требующий точной настройки. Короткие циклы (5–20 секунд) в строго определённых температурных окнах (340°C для контактов, 450°C для пассивации) позволяют целенаправленно улучшать конкретные параметры кремниевых диодов и фотодиодов, делая технологический процесс их изготовления более стабильным и рентабельным. Подробнее читайте в статье: 🔗 Kim A.S., Perevedentseva N.A., Yurchuk S.Yu., Korzhov F.D. Rapid thermal annealing in silicon diode and photodiode technologies. Modern Electronic Materials. 2025;11(4):209-215. https://doi.org/10.3897/j.moem.11.4.175359 #Полупроводники #Кремний #Диоды #Фотодиоды #МатериалыЭлектроннойТехники #ТермическийОтжиг #RTA MoEM | Подписаться